Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2396-K
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 2000
Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD2396-K
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD2396-K kann eine Gleichstromverstärkung von 1000 bis 2000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2396 liegt im Bereich von 400 bis 2000, die des 2SD2396-H im Bereich von 400 bis 800, die des 2SD2396-J im Bereich von 600 bis 1200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2396-K-Transistor könnte nur mit "D2396-K" gekennzeichnet sein.