Bipolartransistor BDX53D

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX53D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 500
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDX53D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX53D ist der BDX54D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX53D

Sie können den Transistor BDX53D durch einen 2N6533, BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW73D, BDX33D, BDX53E oder BDX53F ersetzen.
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