Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2396-J
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 600 bis 1200
Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD2396-J
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD2396-J kann eine Gleichstromverstärkung von 600 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2396 liegt im Bereich von 400 bis 2000, die des 2SD2396-H im Bereich von 400 bis 800, die des 2SD2396-K im Bereich von 1000 bis 2000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2396-J-Transistor könnte nur mit "D2396-J" gekennzeichnet sein.