Bipolartransistor 2SD2396-J

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2396-J

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 600 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD2396-J

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD2396-J kann eine Gleichstromverstärkung von 600 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2396 liegt im Bereich von 400 bis 2000, die des 2SD2396-H im Bereich von 400 bis 800, die des 2SD2396-K im Bereich von 1000 bis 2000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2396-J-Transistor könnte nur mit "D2396-J" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2396-J

Sie können den Transistor 2SD2396-J durch einen 2N6531, 2N6533, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC2315, 2SC2316, 2SC3179, 2SC3852, 2SC3852A, 2SD1273, 2SD1273A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD2375, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX53D, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD1273, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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