Bipolartransistor 2N6531

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6531

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 500 bis 10000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6531

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6531

Sie können den Transistor 2N6531 durch einen 2N6533, BD543C, BD545C, BD801, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.
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