Bipolartransistor 2N6533

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6533

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 65 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 500 bis 10000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6533

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6533

Sie können den Transistor 2N6533 durch einen BDT87, BDT87F, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.

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