Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1890-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 15000
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1890-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1890-P kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 15000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1890 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SD1890-Q im Bereich von 8000 bis 30000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1890-P-Transistor könnte nur mit "D1890-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1890-P ist der 2SB1250-P.
