Bipolartransistor 2SD1890-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1890-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 30000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1890-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1890-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1890 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SD1890-P im Bereich von 5000 bis 15000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1890-Q-Transistor könnte nur mit "D1890-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1890-Q ist der 2SB1250-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1890-Q

Sie können den Transistor 2SD1890-Q durch einen 2SC1986, 2SC2075, 2SC2316, 2SC3852A, 2SD1194, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1414, 2SD1828, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1891, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD772, 2SD792, 2SD823, BD241B, BD241C, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BD951, BD953, BD955, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE802T, MJE803T, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, TIP121, TIP121G, TIP122, TIP122G, TIP141T, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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