Bipolartransistor 2SA505-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA505-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA505-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA505-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA505 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SA505-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA505-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA505-O-Transistor könnte nur mit "A505-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA505-O ist der 2SC496-O.

SMD-Version des Transistors 2SA505-O

Der 2SA1364 (SOT-89), BCP52 (SOT-223), BCP52-10 (SOT-223), BCX52 (SOT-89), BCX52-10 (SOT-89), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23) und MMBT4354 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA505-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA505-O

Sie können den Transistor 2SA505-O durch einen 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, 2SA1214, 2SA743, 2SA743A, 2SB1165, 2SB1165-Q, 2SB1166, 2SB1166-Q, 2SB1167, 2SB1167-Q, 2SB1168, 2SB1168-Q, 2SB631, 2SB744A, BD138, BD138-10, BD138G, BD140, BD140-10, BD140G, BD168, BD170, BD178, BD178-10, BD180, BD180-10, BD180G, BD190, BD229, BD231, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD378-10, BD380, BD380-10, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744A, KSE171, KSE172, KTA1715, KTA1715-O, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
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