Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA505-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 1 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA505-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA505-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA505 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SA505-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA505-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA505-R-Transistor könnte nur mit "A505-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA505-R ist der 2SC496-R.
SMD-Version des Transistors 2SA505-R
Der BCP52 (SOT-223) und BSR30 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA505-R-Transistors.
