Bipolartransistor 2SB1167

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1167 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1167-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1167-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1167-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1167-T im Bereich von 200 bis 400.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1167-Transistor könnte nur mit "B1167" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1167 ist der 2SD1724.Der BDP954 (SOT-223) und BDP956 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1167-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1167 durch einen 2SB1168 oder MJE254 ersetzen.