Bipolartransistor BD442G
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD442G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 36 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 140
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des BD442G
SMD-Version des Transistors BD442G
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD442G
Equivalent
- TO-220 package, BD535J: 50 watts
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