Bipolartransistor BD442G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD442G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD442G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors BD442G

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD442G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD442G

Sie können den Transistor BD442G durch einen 2N4920, 2N4920G, BD442, BD790, BD792, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G oder MJE254 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD535J: 50 watts
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