Bipolartransistor 2SB631

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB631 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB631-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB631-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB631-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB631-Transistor könnte nur mit "B631" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB631 ist der 2SD600.Der 2SA1368 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB631-Transistors.Sie können den Transistor 2SB631 durch einen 2SA1021, 2SA1220, 2SA1220A, 2SB631K, 2SB649, KSA1220, KSA1220A oder MJE254 ersetzen.