Bipolartransistor 2SA505

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA505

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA505

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA505 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA505-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA505-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA505-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA505-Transistor könnte nur mit "A505" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA505 ist der 2SC496.

SMD-Version des Transistors 2SA505

Der BCP52 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SA505-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA505

Sie können den Transistor 2SA505 durch einen BD138, BD138G, BD140, BD140G, BD168, BD170, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD229, BD231, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD380, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
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