Bipolartransistor MJE253G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 180
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Der MJE253G ist die bleifreie Version des MJE253-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE253G ist der MJE243G.Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE253G-Transistors.Sie können den Transistor MJE253G durch einen BD792, MJE253 oder MJE254 ersetzen.