Bipolartransistor BCP52-10
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP52-10
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 1.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
- Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-223
Pinbelegung des BCP52-10
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BCP52-10
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com