Bipolartransistor 2N4919G
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4919G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 30 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2N4919G
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N4919G
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com