Bipolartransistor MJE254

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE254

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE254

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE254 ist der MJE244.

SMD-Version des Transistors MJE254

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE254-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE254

Sie können den Transistor MJE254 durch einen 2SB1168, 2SB1168-Q, 2SB1168-R, 2SB1168-S, 2SB1168-T, BD682, BD682G, BD792, MJE253 oder MJE253G ersetzen.
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