Bipolartransistor 2SD857A-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD857A-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 90
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD857A-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD857A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD857A liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SD857A-P im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD857A-Q im Bereich von 70 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD857A-R-Transistor könnte nur mit "D857A-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD857A-R ist der 2SB762A-R.

SMD-Version des Transistors 2SD857A-R

Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD857A-R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD857A-R

Sie können den Transistor 2SD857A-R durch einen 2N6131, 2N6473, 2N6474, 2N6488, 2N6488G, 2SC1986, 2SC2075, 2SC2334, 2SC3851A, 2SD1265A, 2SD1267A, 2SD1267A-R, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1355, 2SD1356, 2SD1407, 2SD1407A, 2SD1408, 2SD2059, 2SD2060, 2SD363, 2SD389A, 2SD525, 2SD526, 2SD569, 2SD613, 2SD743, 2SD743A, 2SD772, 2SD792, 2SD812, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD537K, BD539B, BD539C, BD539D, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, KSC2334, KSD1408, KSD363, KSD526, KSD569, KTD2059, KTD2060, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE5180, MJE5181, MJE5182, MJF15030, MJF15030G, MJF3055, MJF3055G, NTE152, NTE291, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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