Bipolartransistor MJE5182

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE5182

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 65 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 100
Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE5182

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE5182 ist der MJE5172.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE5182

Sie können den Transistor MJE5182 durch einen TIP41F oder TIP42F ersetzen.

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