Bipolartransistor MJF3055G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor
• Der MJF3055G ist die bleifreie Version des MJF3055-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJF3055G ist der MJF2955G.Sie können den Transistor MJF3055G durch einen BD711, BD743C, BD911, BDT95, BDT95F oder MJF3055 ersetzen.