Bipolartransistor 2N6131

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6131

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6131

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6131 ist der 2N6134.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6131

Sie können den Transistor 2N6131 durch einen 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.
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