Bipolartransistor BD537K

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD537K kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD537 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD537J im Bereich von 30 bis 75.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD537K ist der BD538K.Sie können den Transistor BD537K durch einen 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.