Bipolartransistor MJE5181

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE5181

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE5181

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE5181 ist der MJE5171.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE5181

Sie können den Transistor MJE5181 durch einen MJE5182, TIP41E, TIP41F, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com