Bipolartransistor MJF3055

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF3055

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor

Pinbelegung des MJF3055

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJF3055 ist der MJF2955.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF3055

Sie können den Transistor MJF3055 durch einen BD711, BD743C, BD911, BDT95, BDT95F oder MJF3055G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJF3055G-Transistor ist die bleifreie Version des MJF3055.
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