Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD857A-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 250
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD857A-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD857A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD857A liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SD857A-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD857A-R im Bereich von 40 bis 90.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD857A-P-Transistor könnte nur mit "D857A-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD857A-P ist der 2SB762A-P.
SMD-Version des Transistors 2SD857A-P
Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD857A-P-Transistors.
