Caractéristiques électriques du transistor MPS918G
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 15 V
Tension collecteur-base maximum: 30 V
Tension émetteur-base maximum: 3 V
Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
Gain de courant (hfe): 20
Fréquence de transition minimum: 600 MHz
Figure de bruit maximum: 6 dB
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Le MPS918G est la version sans plomb du transistor MPS918
Brochage du MPS918G
Le MPS918G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor MPS918G
Le MMBT918 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS918G.
Substituts et équivalents pour le transistor MPS918G