Transistor bipolaire KSD261G

Caractéristiques électriques du transistor KSD261G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD261G transistor

Brochage du KSD261G

Le KSD261G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor KSD261CG (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du KSD261G.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD261G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSD261 est compris entre 120 à 400, celui du KSD261Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD261G

Le transistor PNP complémentaire du KSD261G est le KSA643G.

Version SMD du transistor KSD261G

Le 2SC3326 (SOT-23), 2SC3326-A (SOT-23), KTC2875 (SOT-23) et KTC2875-A (SOT-23) est la version SMD du transistor KSD261G.

Transistor KSD261G en boîtier TO-92

Le 2SD261G est la version TO-92 du KSD261G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD261G

Vous pouvez remplacer le transistor KSD261G par 2N5172, 2SD261, 2SD261G, 2SD471A, 2SD471AG, KSD471A, KSD471AG, MPS3415, MPS3706, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG ou MPSW01G.
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