Transistor bipolaire M8050-C

Caractéristiques électriques du transistor M8050-C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du M8050-C

Le M8050-C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor M8050-C peut avoir un gain en courant continu de 120 à 200. Le gain en courant continu du M8050 est compris entre 120 à 300, celui du M8050-D entre 160 à 300.

Complémentaire du transistor M8050-C

Le transistor PNP complémentaire du M8050-C est le M8550-C.

Version SMD du transistor M8050-C

Le FMMT449 (SOT-23) est la version SMD du transistor M8050-C.

Substituts et équivalents pour le transistor M8050-C

Vous pouvez remplacer le transistor M8050-C par 2SD471A, 2SD471AY, KSD471A, KSD471AY, MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050C, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, PN2222A, SS8050, SS8050C, ZTX449 ou ZTX450.
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