Transistor bipolaire M8050-C
Caractéristiques électriques du transistor M8050-C
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 200
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du M8050-C
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor M8050-C
Version SMD du transistor M8050-C
Substituts et équivalents pour le transistor M8050-C
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