Transistor bipolaire MPS6602
Caractéristiques électriques du transistor MPS6602
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 4 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 50
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du MPS6602
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPS6602
Version SMD du transistor MPS6602
Substituts et équivalents pour le transistor MPS6602
Version sans plomb
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