Transistor bipolaire MPS6602

Caractéristiques électriques du transistor MPS6602

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 4 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 50
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPS6602

Le MPS6602 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPS6602

Le transistor PNP complémentaire du MPS6602 est le MPS6652.

Version SMD du transistor MPS6602

Le FMMT449 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS6602.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS6602

Vous pouvez remplacer le transistor MPS6602 par 2SD471A, 2SD471AG, 2SD471AO, 2SD471AY, BC537-10, BC537-16, BC537-25, KSD471A, KSD471AG, KSD471AY, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW13, MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45G, PN2222A, ZTX449, ZTX450, ZTX451 ou ZTX690B.

Version sans plomb

Le transistor MPS6602G est la version sans plomb du MPS6602.
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