Caractéristiques électriques du transistor 2SD261O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
Tension collecteur-base maximum: 40 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SD261O
Le 2SD261O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD261O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SD261 est compris entre 40 à 400, celui du 2SD261G entre 200 à 400, celui du 2SD261R entre 40 à 80, celui du 2SD261Y entre 120 à 240.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD261O peut n'être marqué que D261O.
Complémentaire du transistor 2SD261O
Le transistor PNP complémentaire du 2SD261O est le 2SA643O.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD261O
