Transistor bipolaire S8050B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 85 à 160
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le S8050B est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor S8050B peut avoir un gain en courant continu de 85 à 160. Le gain en courant continu du S8050 est compris entre 85 à 300, celui du S8050C entre 120 à 200, celui du S8050D entre 160 à 300.Le transistor PNP complémentaire du S8050B est le S8550B.Vous pouvez remplacer le transistor S8050B par 2SD471A, KTC9013, MPS3414, MPS3416, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050B, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S9013, SS8050 ou SS8050B.