Transistor bipolaire MPS8050C

Caractéristiques électriques du transistor MPS8050C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 190 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPS8050C

Le MPS8050C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor MPS8050C peut avoir un gain en courant continu de 120 à 200. Le gain en courant continu du MPS8050 est compris entre 85 à 300, celui du MPS8050B entre 85 à 160, celui du MPS8050D entre 160 à 300.

Complémentaire du transistor MPS8050C

Le transistor PNP complémentaire du MPS8050C est le MPS8550C.

Version SMD du transistor MPS8050C

Le FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) et MPS8050S-C (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS8050C.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS8050C

Vous pouvez remplacer le transistor MPS8050C par MPS650, MPS650G, SS8050 ou SS8050C.
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