Caractéristiques électriques du transistor 2SC1209-E
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
Tension collecteur-base maximum: 25 V
Tension émetteur-base maximum: 4 V
Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
Gain de courant (hfe): 150 à 300
Fréquence de transition minimum: 150 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SC1209-E
Le 2SC1209-E est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC1209-E peut avoir un gain en courant continu de 150 à 300. Le gain en courant continu du 2SC1209 est compris entre 55 à 300, celui du 2SC1209-C entre 55 à 110, celui du 2SC1209-D entre 90 à 180.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC1209-E peut n'être marqué que C1209-E.
Complémentaire du transistor 2SC1209-E
Le transistor PNP complémentaire du 2SC1209-E est le 2SA695-E.
Version SMD du transistor 2SC1209-E
Le 2SC3440 (SOT-23), 2SC3440-E (SOT-23), BC818 (SOT-23) et BC818W (SOT-323) est la version SMD du transistor 2SC1209-E.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC1209-E