Transistor bipolaire MPS8050B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 85 à 160
• Fréquence de transition minimum: 190 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le MPS8050B est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MPS8050B peut avoir un gain en courant continu de 85 à 160. Le gain en courant continu du MPS8050 est compris entre 85 à 300, celui du MPS8050C entre 120 à 200, celui du MPS8050D entre 160 à 300.Le transistor PNP complémentaire du MPS8050B est le MPS8550B.Le MPS8050S (SOT-23) et MPS8050S-B (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS8050B.Vous pouvez remplacer le transistor MPS8050B par MPS650, MPS650G, SS8050 ou SS8050B.