Transistor bipolaire S9013G

Caractéristiques électriques du transistor S9013G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 112 à 166
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du S9013G

Le S9013G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor S9013G peut avoir un gain en courant continu de 112 à 166. Le gain en courant continu du S9013 est compris entre 64 à 300, celui du S9013D entre 64 à 91, celui du S9013E entre 78 à 112, celui du S9013F entre 96 à 135, celui du S9013H entre 144 à 202, celui du S9013I entre 190 à 300.

Complémentaire du transistor S9013G

Le transistor PNP complémentaire du S9013G est le S9012G.

Substituts et équivalents pour le transistor S9013G

Vous pouvez remplacer le transistor S9013G par 2N4401, 2N5172, 2SD471A, KN2222, KN2222A, KSP2222A, KTC8050, KTC8050C, KTC9013, KTN2222, KTN2222A, MPS2222, MPS2222A, MPS2222AG, MPS2222G, MPS3414, MPS3416, MPS3704, MPS650, MPS650G, MPS6531, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219, PN2219A, PN2222, PN2222A, PN3569, S8050, SS8050, ZTX449 ou ZTX450.
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