Transistor bipolaire MPS6561

Caractéristiques électriques du transistor MPS6561

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
  • Tension collecteur-base maximum: 20 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 60 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPS6561

Le MPS6561 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPS6561

Le transistor PNP complémentaire du MPS6561 est le MPS6563.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS6561

Vous pouvez remplacer le transistor MPS6561 par MPS3706, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602 ou MPS6602G.
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