Transistor bipolaire S8050

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 85 à 300
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le S8050 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor S8050 peut avoir un gain en courant continu de 85 à 300. Le gain en courant continu du S8050B est compris entre 85 à 160, celui du S8050C entre 120 à 200, celui du S8050D entre 160 à 300.Le transistor PNP complémentaire du S8050 est le S8550.Vous pouvez remplacer le transistor S8050 par 2SD471A, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S9013 ou SS8050.