Transistor bipolaire MPS6602G

Caractéristiques électriques du transistor MPS6602G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 4 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 50
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPS6602G est la version sans plomb du transistor MPS6602

Brochage du MPS6602G

Le MPS6602G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPS6602G

Le transistor PNP complémentaire du MPS6602G est le MPS6652G.

Version SMD du transistor MPS6602G

Le FMMT449 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS6602G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS6602G

Vous pouvez remplacer le transistor MPS6602G par 2SD471A, 2SD471AG, 2SD471AO, 2SD471AY, BC537-10, BC537-16, BC537-25, KSD471A, KSD471AG, KSD471AY, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6602, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW13, MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45G, PN2222A, ZTX449, ZTX450, ZTX451 ou ZTX690B.
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