Transistor bipolaire MPS6602G
Caractéristiques électriques du transistor MPS6602G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 4 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 50
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPS6602G est la version sans plomb du transistor MPS6602
Brochage du MPS6602G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPS6602G
Version SMD du transistor MPS6602G
Substituts et équivalents pour le transistor MPS6602G
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