Transistor bipolaire KSD227G

Caractéristiques électriques du transistor KSD227G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD227G transistor

Brochage du KSD227G

Le KSD227G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD227G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSD227 est compris entre 70 à 400, celui du KSD227O entre 70 à 140, celui du KSD227Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD227G

Le transistor PNP complémentaire du KSD227G est le KSA642G.

Version SMD du transistor KSD227G

Le MMBT4124 (SOT-23) et MMST4124 (SOT-323) est la version SMD du transistor KSD227G.

Transistor KSD227G en boîtier TO-92

Le 2SD227G est la version TO-92 du KSD227G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD227G

Vous pouvez remplacer le transistor KSD227G par 2N5172, 2SD227, 2SD227G, 2SD471A, 2SD471AG, KSD471A, KSD471AG, MPS3415, MPS3417, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE192, PN100 ou ZTX690B.
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