Transistor bipolaire M28S-D

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 650 à 1000
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le M28S-D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor M28S-D peut avoir un gain en courant continu de 650 à 1000. Le gain en courant continu du M28S est compris entre 300 à 1000, celui du M28S-B entre 300 à 550, celui du M28S-C entre 500 à 700.Vous pouvez remplacer le transistor M28S-D par MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G ou ZTX689B.