Transistor bipolaire MPSW01G

Caractéristiques électriques du transistor MPSW01G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 60
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPSW01G est la version sans plomb du transistor MPSW01

Brochage du MPSW01G

Le MPSW01G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW01G

Le transistor PNP complémentaire du MPSW01G est le MPSW51G.

Version SMD du transistor MPSW01G

Le FMMT449 (SOT-23) est la version SMD du transistor MPSW01G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW01G

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW01G par 2SD471A, 2SD471AG, 2SD471AO, 2SD471AY, BC537-10, BC537-16, BC537-25, KSD471A, KSD471AG, KSD471AY, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW13, MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45G, PN2222A, ZTX449, ZTX450 ou ZTX690B.
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