Transistor bipolaire MPSW01G
Caractéristiques électriques du transistor MPSW01G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 60
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPSW01G est la version sans plomb du transistor MPSW01
Brochage du MPSW01G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW01G
Version SMD du transistor MPSW01G
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW01G
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