Transistor bipolaire 2N5172

Caractéristiques électriques du transistor 2N5172

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 25 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 500
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Brochage du 2N5172

Le 2N5172 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor 2N5172

Le BC818 (SOT-23) et BC818W (SOT-323) est la version SMD du transistor 2N5172.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5172

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5172 par MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG ou MPSW01G.
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