Transistor bipolaire M8050-D

Caractéristiques électriques du transistor M8050-D

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du M8050-D

Le M8050-D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor M8050-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 300. Le gain en courant continu du M8050 est compris entre 120 à 300, celui du M8050-C entre 120 à 200.

Complémentaire du transistor M8050-D

Le transistor PNP complémentaire du M8050-D est le M8550-D.

Version SMD du transistor M8050-D

Le FMMT449 (SOT-23) est la version SMD du transistor M8050-D.

Substituts et équivalents pour le transistor M8050-D

Vous pouvez remplacer le transistor M8050-D par 2SD471A, KSD471A, MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050D, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, PN2222A, SS8050, SS8050D, ZTX449, ZTX450 ou ZTX690B.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com