Transistor bipolaire M8050

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 120 à 300
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le M8050 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor M8050 peut avoir un gain en courant continu de 120 à 300. Le gain en courant continu du M8050-C est compris entre 120 à 200, celui du M8050-D entre 160 à 300.Le transistor PNP complémentaire du M8050 est le M8550.Le FMMT449 (SOT-23) est la version SMD du transistor M8050.Vous pouvez remplacer le transistor M8050 par 2SD471A, KSD471A, MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, PN2222A, SS8050, ZTX449 ou ZTX450.