Transistor bipolaire MPSA13G
Caractéristiques électriques du transistor MPSA13G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 30 V
- Tension émetteur-base maximum: 10 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 5000
- Fréquence de transition minimum: 125 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Le MPSA13G est la version sans plomb du transistor MPSA13
Brochage du MPSA13G
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor MPSA13G
Substituts et équivalents pour le transistor MPSA13G
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