Transistor bipolaire MPS6601G

Caractéristiques électriques du transistor MPS6601G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 25 V
  • Tension émetteur-base maximum: 4 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 50
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Le MPS6601G est la version sans plomb du transistor MPS6601

Brochage du MPS6601G

Le MPS6601G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPS6601G

Le transistor PNP complémentaire du MPS6601G est le MPS6651G.

Version SMD du transistor MPS6601G

Le 2SC3265 (SOT-23), 2SC3265-O (SOT-23), 2SC3265-Y (SOT-23), 2SD874 (SOT-89), 2SD874-Q (SOT-89), 2SD874-R (SOT-89), 2SD874-S (SOT-89), BC818 (SOT-23), BC818-16 (SOT-23), BC818-16W (SOT-323), BC818-25 (SOT-23), BC818-25W (SOT-323), BC818-40 (SOT-23), BC818-40W (SOT-323), BC818W (SOT-323), BCX20 (SOT-23), KSC3265 (SOT-23), KSC3265-O (SOT-23), KSC3265-Y (SOT-23), MMBTA13 (SOT-23), MMBTA14 (SOT-23), PMBTA13 (SOT-23), PMBTA14 (SOT-23), PZTA13 (SOT-223) et PZTA14 (SOT-223) est la version SMD du transistor MPS6601G.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS6601G

Vous pouvez remplacer le transistor MPS6601G par 2SD471A, 2SD471AG, 2SD471AO, 2SD471AY, KSD471A, KSD471AG, KSD471AY, M8050, M8050-C, M8050-D, MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPS8050B, MPS8050C, MPS8050D, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW13, MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45G, PN2222A, SS8050, SS8050B, SS8050C, SS8050D, ZTX449, ZTX450 ou ZTX690B.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com