Transistor bipolaire MPS8050D

Caractéristiques électriques du transistor MPS8050D

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 190 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPS8050D

Le MPS8050D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor MPS8050D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 300. Le gain en courant continu du MPS8050 est compris entre 85 à 300, celui du MPS8050B entre 85 à 160, celui du MPS8050C entre 120 à 200.

Complémentaire du transistor MPS8050D

Le transistor PNP complémentaire du MPS8050D est le MPS8550D.

Version SMD du transistor MPS8050D

Le FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) et MPS8050S-D (SOT-23) est la version SMD du transistor MPS8050D.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS8050D

Vous pouvez remplacer le transistor MPS8050D par MPS650, MPS650G, SS8050, SS8050D ou ZTX690B.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com