Transistor bipolaire MPSW13

Caractéristiques électriques du transistor MPSW13

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 10 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 10000
  • Fréquence de transition minimum: 125 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPSW13

Le MPSW13 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW13

Le transistor PNP complémentaire du MPSW13 est le MPSW63.

Version SMD du transistor MPSW13

Le MMBTA14 (SOT-23), PMBTA14 (SOT-23) et PZTA14 (SOT-223) est la version SMD du transistor MPSW13.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW13

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW13 par MPSW14, MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG ou MPSW45G.
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