Transistor bipolaire MPSW13
Caractéristiques électriques du transistor MPSW13
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 30 V
- Tension émetteur-base maximum: 10 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 10000
- Fréquence de transition minimum: 125 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du MPSW13
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW13
Version SMD du transistor MPSW13
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW13
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