Transistor bipolaire MPSW14

Caractéristiques électriques du transistor MPSW14

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 10 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 20000
  • Fréquence de transition minimum: 125 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPSW14

Le MPSW14 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW14

Le transistor PNP complémentaire du MPSW14 est le MPSW64.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW14

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW14 par MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG ou MPSW45G.
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