Transistor bipolaire 2SD227

Caractéristiques électriques du transistor 2SD227

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SD227

Le 2SD227 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD227 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 400. Le gain en courant continu du 2SD227G est compris entre 200 à 400, celui du 2SD227O entre 70 à 140, celui du 2SD227Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD227 peut n'être marqué que D227.

Complémentaire du transistor 2SD227

Le transistor PNP complémentaire du 2SD227 est le 2SA642.

Transistor 2SD227 en boîtier TO-92

Le KSD227 est la version TO-92 du 2SD227.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD227

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD227 par 2SD471A, KSD227, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG ou MPSW01G.
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